IPW65R045C7FKSA1, MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 870 руб.
от 10 шт. —
2 720 руб.
от 25 шт. —
2 210 руб.
от 50 шт. —
2 201.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 870 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор полевой IPW65R045C7FKSA1 от производителя INFINEON объединяет в себе высокие технологические характеристики и надежность. Этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа в отверстия (THT) и подходит для мощных применений благодаря току стока в 46 А и напряжению сток-исток, достигающему 650 В. С мощностью в 227 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,045 Ом, он обеспечивает высокоэффективное управление и минимальные потери мощности. Компонент заключён в надёжный корпус PG-TO247, который подходит для широкого спектра электронных устройств. Код товара IPW65R045C7FKSA1 гарантирует, что вы получите именно тот компонент, который отвечает всем вашим техническим требованиям. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 46 |
| Напряжение сток-исток, В | 650 |
| Мощность, Вт | 227 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.045 |
| Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IPW65R045C7 SP000929412 |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 93 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Вес, г | 7.977 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1943 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
