IPW65R070C6FKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 53.5 А, 650 В, 0.063 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPW65R070C6FKSA1
Ном. номер: 8001738907
Производитель: Infineon Technologies
IPW65R070C6FKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 53.5 А, 650 В, 0.063 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 122 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
830 руб. × = 830 руб.
от 25 шт. — 706 руб.
от 100 шт. — 579 руб.


The IPW65R070C6 is a 650V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

• Easy control of switching behaviour
• Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use
• Better light load efficiency
• Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
• Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
• More efficient, more compact, lighter and cooler
• Improved power density
• Improved reliability
• General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IPW65R070C6FKSA1