IPW65R190C7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 650 В, 0.404 Ом, 10 В, 3.5 В

PartNumber: IPW65R190C7XKSA1
Ном. номер: 8097402540
Производитель: Infineon Technologies
IPW65R190C7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 650 В, 0.404 Ом, 10 В, 3.5 В
Доступно на заказ 57 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
310 руб. × = 310 руб.
от 25 шт. — 269 руб.

Описание

The IPW65R190C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

• Revolutionary best-in-class RDS (ON)
• Reduced energy stored in output capacitance (EOSS)
• Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
• Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
• Lowest conduction losses
• Low switching losses
• Better light load efficiency
• Increasing power density
• Outstanding CoolMOS™ quality

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
72Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
24А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.404Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3.5В

Дополнительная информация

Datasheet IPW65R190C7XKSA1