Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Infineon › IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего ...

IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

230 шт. со склада г.Москва

630 руб.

от 5 шт. — 556 руб.

от 50 шт. — 549 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000001595

Артикул: IR2010SPBF

Страна происхождения: ТАИЛАНД

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SMD, 2010 Driver IC Type MOSFET Outputs, No. of 2 Voltage, Output 220V Output Current 3A Voltage, Supply Min 10V Case Style SOIC No. of Pins 16 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 2010 IC Generic Number 2010 Logic Function Number 2010 Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type SMD Voltage, Offset 200V Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 10V Voltage, Supply Max 20V Logic IC Function Hi & Lo MOS Driver Output Sink Current 3A Output Sink Current Min 3000mA Output Source Current Max 3A Output Source Current Min 3000mA Time, t Off 65ns Time, t On 95ns Voltage, Vcc Max 25V Voltage, Vcc Min 10V
Корпус SO-16, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 200 В, Максимальный выходной ток нарастания 3 А, Максимальный выходной ток спада 3 А

Технические параметры

Конфигурация	half-bridge
Тип канала	независимый
Кол-во каналов	2
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	6
Логическое напряжение (VIH), В	9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	3
Тип входа	неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В	200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	15
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	soic-16 (0.295 inch)
Вес, г	1