IR2153DPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер [DIP-8.]
![IR2153DPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер [DIP-8.]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304707.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9000001448
Артикул
IR2153DPBF
Конфигурация
Half-Bridge
Тип канала
синхронный
Кол-во каналов
2
Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В
10…15.6
Все параметры
Datasheet
pdf, 121 КБ
Все документы
147 шт. со склада г.Москва
320 руб.
от 5 шт. —
283 руб.
от 50 шт. —
251 руб.
1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
IR2153D
Микросхема IR2153D представляет собой высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов с выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Это улучшенная версия драйвера IR2155 и IR2151, которая содержит драйвер высоковольтного полумоста с генератором аналогичным промышленному таймеру К1006ВИ1.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: PDIP-8.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.
Микросхема IR2153D представляет собой высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов с выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Это улучшенная версия драйвера IR2155 и IR2151, которая содержит драйвер высоковольтного полумоста с генератором аналогичным промышленному таймеру К1006ВИ1.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: PDIP-8.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.
Технические параметры
| Конфигурация | Half-Bridge | |
| Тип канала | синхронный | |
| Кол-во каналов | 2 | |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
| Напряжение питания, В | 10…15.6 | |
| Тип входа | RC входная схема | |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 | |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 80 | |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 45 | |
| Рабочая температура, °C | -40…+125(TJ) | |
| Корпус | DIP-8(0.300 inch) | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
