IR21814SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 2.3А, задержка 220нс, SOIC-14

PartNumber: IR21814SPBF
Ном. номер: 8002639522
Производитель: Infineon Technologies
IR21814SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 2.3А, задержка 220нс, SOIC-14
Доступно на заказ 211 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
360 руб. × = 360 руб.
от 10 шт. — 270 руб.
от 100 шт. — 223 руб.

Описание

The IR21814SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with an independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• Matched propagation delay for both channels
• Logic and power ground ±5V offset
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Output source/sink current capability 1.4/1.8A

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Максимальное Напряжение Питания
20В
Минимальное Напряжение Питания
10В
Количество Выводов
14вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов
Упаковка
Поштучно
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Задержка по Входу
180нс
Задержка Выхода
220нс
Пиковый Выходной Ток
2.3А
Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона

Дополнительная информация

Datasheet IR21814SPBF