IR2301SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 5В-20В, 350мА, задержка 200нс, SOIC-8

PartNumber: IR2301SPBF
Ном. номер: 8013268179
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IR2301SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 5В-20В, 350мА, задержка 200нс, SOIC-8
Фото 2/2 IR2301SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 5В-20В, 350мА, задержка 200нс, SOIC-8
Доступно на заказ 167 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
310 руб. × = 310 руб.
от 10 шт. — 229 руб.
от 100 шт. — 188 руб.

Описание

The IR2301SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• Logic and power ground ±5V offset
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Outputs in phase with inputs

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура
-40 C
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Максимальное Напряжение Питания
20В
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Упаковка
Поштучно
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Задержка по Входу
220нс
Задержка Выхода
200нс
Пиковый Выходной Ток
350мА
Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Соответствует Фталатам RoHS
Будет Указано Позже

Дополнительная информация

Datasheet IR2301SPBF