Мой регион: Россия

IRF100B202, MOSFET StrongIRFET N-Ch 1

PartNumber: IRF100B202
Ном. номер: 8000002188
Производитель: Infineon Technologies
IRF100B202, MOSFET StrongIRFET N-Ch 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
2450 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 120 руб.
от 100 шт. — 87 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 2-3 недели, 1730 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 127 руб.
51.40 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 50 шт. 150 шт.
от 450 шт. — 51 руб.
от 900 шт. — 49.60 руб.
90 руб. 3-4 недели, 79 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 83.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
97 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
221 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
123S
Высота
16.51мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4476 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.