IRF1010EZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF1010EZSPBF
Ном. номер: 8100333893
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1010EZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4 В
Фото 2/2 IRF1010EZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 1617 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
96 руб. × = 96 руб.
от 25 шт. — 80 руб.
от 100 шт. — 72 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF1010EZSPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
140Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
84А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0085Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IRF1010EZSPBF
IRF1010EZPbF AUTOMOTIVE MOSFET Data Sheet IRF1010EZSPBF