IRF1010EZSTRLP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 75 А, 0.0068 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
333 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
SP001561470
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0068Ом |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 75А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0068Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon/IR |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3200 |
| Fall Time: | 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IRF1010EZSTRLP SP001561470 |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 58 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms |
| Rise Time: | 90 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | IRF1010EZS |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Вес, г | 40.82 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
