IRF1010EZSTRLP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 75 А, 0.0068 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 1/3 IRF1010EZSTRLP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 75 А, 0.0068 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.410 руб.
от 100 шт.320 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 760 руб.
Номенклатурный номер: 8365537617
Артикул: IRF1010EZSTRLP

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

SP001561470

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0068Ом
Power Dissipation 140Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 75А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 140Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0068Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Infineon/IR
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3200
Fall Time: 54 ns
Id - Continuous Drain Current: 75 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-263-3
Part # Aliases: IRF1010EZSTRLP SP001561470
Pd - Power Dissipation: 140 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 58 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.5 mOhms
Rise Time: 90 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 38 ns
Typical Turn-On Delay Time: 19 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Channel Mode Enhancement
Forward Diode Voltage 1.3V
Maximum Continuous Drain Current 84 A
Maximum Drain Source Resistance 8.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 140 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series IRF1010EZS
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 58 nC @ 10 V
Width 9.65mm
Вес, г 40.82

Техническая документация

Datasheet
pdf, 407 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 417 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов