Мой регион: Россия

IRF1010ZPBF

Ном. номер: 8001887890
PartNumber: IRF1010ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1010ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF1010ZPBF
180 руб.
160 руб.
919 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 123 руб.
от 100 шт. — 90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
92 руб. 4 дня, 336 шт. 1 шт. 7 шт.
от 27 шт. — 59 руб.
от 50 шт. — 53 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
94 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
36 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2840 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.