Мой регион: Россия

IRF135SA204, MOSFET StrongIRFET N-Ch 1

PartNumber: IRF135SA204
Ном. номер: 8000002191
Производитель: Infineon Technologies
IRF135SA204, MOSFET StrongIRFET N-Ch 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
750 руб.
154 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 430 руб.
от 50 шт. — 336 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
610 руб. 2-3 недели, 690 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 404 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.83мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
270s
Высота
9.65мм
Размеры
10.54 x 4.83 x 9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
140 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
5.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
125 л
Число контактов
7+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
210 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
11690 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.