IRF2804STRL7PP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 160 А, 0.0012 Ом, TO-263AB, Surface Mount

Фото 2/3 IRF2804STRL7PP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 160 А, 0.0012 Ом, TO-263AB, Surface MountФото 3/3 IRF2804STRL7PP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 160 А, 0.0012 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Фото 1/3 IRF2804STRL7PP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 160 А, 0.0012 Ом, TO-263AB, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 5-6 недель
660 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 660 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8108822757
Артикул: IRF2804STRL7PP
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Single N-channel HEXFET® power MOSFET
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Fast switching
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Industry standard surface-mount power package
• Higher current-rating (by 23%) vs D2PAK (of same die-size)
• High-current carrying capability package (up to 240A, die-size dependent)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263AB
Рассеиваемая Мощность 330Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0012Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции HEXFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 320 A
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 330 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 10.05мм
Высота 4.55мм
Размеры 10.5 x 10.05 (With Tab) x 4.55мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 17 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 110 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 1.6 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 40 В
Число контактов 7
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 170 нКл
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 6930 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 1

Дополнительная информация

Datasheet IRF2804STRL7PP

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах