IRF2805PBF, Транзистор, N-канал 55В 75А авто [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
234 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом/104А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 91 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | авто применения.175 гр.с | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 264 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF2805PBF
pdf, 278 КБ
Datasheet IRF2805
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают