IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
![Фото 1/3 IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт. —
228 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 135 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом/104А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 9.1 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF2805STRLPBF
pdf, 332 КБ
Datasheet IRF2805STRLPBF
pdf, 331 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
