IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]

Фото 2/4 IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]Фото 3/4 IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]Фото 4/4 IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Фото 1/4 IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
647 шт. со склада г.Москва
100 руб.
от 15 шт.95 руб.
от 150 шт.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 100 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000612809
Артикул: IRF2805STRLPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 135 A
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 200 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 68 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 4,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 150 нКл
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 5110 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF2805SPBF Datasheet
pdf, 331 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF2805STRLPBF
Datasheet IRF2805STRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах