IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210095.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 15 шт. —
197 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 Ом/43А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
| Крутизна характеристики, S | 38 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Особенности | автоприложения | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF2807PBF
pdf, 242 КБ
Документация
pdf, 242 КБ
Datasheet IRF2807
pdf, 211 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
