Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]

Ном. номер: 35943
Артикул: IRF2807PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB]
65 руб.
1346 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 58 руб.
от 150 шт. — 55 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 1587 шт. 1 шт. 79 шт.
от 100 шт. — 50 руб.
от 150 шт. — 47.40 руб.
от 350 шт. — 45.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The IRF2807PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
автоприложения
Пороговое напряжение на затворе
4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRF2807 Datasheet
pdf, 211 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF2807PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.