IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
139 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 ом при 43a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF2807STRLPBF
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов