IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]

Фото 1/4 IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт.139 руб.
1 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9000612810
Артикул: IRF2807STRLPBF

Описание

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 82
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.013 ом при 43a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Крутизна характеристики, S 3.8
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet IRF2807STRLPBF
pdf, 272 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов