IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]
![Фото 1/4 IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 15 шт. —
139 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 ом при 43a, 10в | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF2807STRLPBF
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
