IRF2807ZSTRLPBF, N-Channel MOSFET, 89 A, 75 V, 3-Pin D2PAK

Фото 2/2 IRF2807ZSTRLPBF, N-Channel MOSFET, 89 A, 75 V, 3-Pin D2PAK
Фото 1/2 IRF2807ZSTRLPBF, N-Channel MOSFET, 89 A, 75 V, 3-Pin D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
220 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.160 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 200 руб.
Номенклатурный номер: 8972176366
Артикул: IRF2807ZSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 89 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 170 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 18 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 40 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 9,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 75 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 71 нКл
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3270 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet IRF2807ZSTRLPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах