IRF2903ZS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 2 шт. —
570 руб.
от 5 шт. —
496 руб.
от 10 шт. —
461.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 235 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.4@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 231000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 160 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 160@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 6320@25V |
| Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
IRF2903Z datasheet
pdf, 426 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
