IRF3205LPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF3205LPBF
Ном. номер: 8062969306
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF3205LPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В
Фото 2/3 IRF3205LPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 ВФото 3/3 IRF3205LPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 89 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
180 руб. × = 180 руб.
от 10 шт. — 157 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon (IR) MOSFET Transistors, Infineon
International Rectifier comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Линия Продукции
HEXFET Series
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-262
Рассеиваемая Мощность
200Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Непрерывный Ток Стока
110А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.008Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IRF3205LPBF
IRF3205SPbF, IRF3205LPbF, HEXFET Power MOSFET