IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]

IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
60892
Артикул
IRF3205PBF
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
44
Корпус
TO-220AB
Особенности
автоприложения
Вес, г
2
Все параметры
Datasheet
pdf, 224 КБ
Все документы
3787 шт. со склада г.Москва
55 руб.
от 50 шт.49 руб.
от 500 шт.43 руб.
1 шт. на сумму 55 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/62А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 44
Корпус TO-220AB
Особенности автоприложения
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2
Datasheet
pdf, 224 КБ
Datasheet
pdf, 97 КБ
Datasheet IRF3205PBF
pdf, 239 КБ

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.