IRF3205ZLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 210 шт.

от 1013 шт. — 172 руб.

Добавить в корзину 210 шт. на сумму 37 800 руб.

Номенклатурный номер: 8003195810

Артикул: IRF3205ZLPBF

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	110 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0065 Ω
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	I2PAK(TO-262)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Вес, кг	278

pdf, 379 КБ

Мы рекомендуем