Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]

Ном. номер: 317148350
Артикул: IRF3415PBF
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF3415PBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [TO-220AB]
100 руб.
219 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 93 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
73 руб. 3323 шт. 1 шт. 66 шт.
от 150 шт. — 63 руб.
от 250 шт. — 60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRF3415PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRF3415PBF Datasheet
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3415PBF

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.