IRF3703PBF, Транзистор, N-канал 30В 210А [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRF3703PBF, Транзистор, N-канал 30В 210А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC001214204.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 10 шт. —
322 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0028 Ом/76А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
| Крутизна характеристики, S | 150 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
![IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]](https://static.chipdip.ru/lib/191/DOC000191952.jpg)
