IRF3707ZSPBF, Транзистор, N-канал 30В 59А [D2-PAK]

Артикул: IRF3707ZSPBF
Ном. номер: 9000102695
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF3707ZSPBF, Транзистор, N-канал 30В 59А [D2-PAK]
Фото 2/4 IRF3707ZSPBF, Транзистор, N-канал 30В 59А [D2-PAK]Фото 3/4 IRF3707ZSPBF, Транзистор, N-канал 30В 59А [D2-PAK]Фото 4/4 IRF3707ZSPBF, Транзистор, N-канал 30В 59А [D2-PAK]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
60 руб. × = 60 руб.
от 50 шт. — 54 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
9.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.25

Техническая документация

IRF3707Z datasheet
pdf, 428 КБ

Дополнительная информация

MOSFET N-ch HEXFET 30V 59A Data Sheet IRF3707ZSPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов