IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]

Артикул: IRF3710ZPBF
Ном. номер: 308755760
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]Фото 3/4 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]Фото 4/4 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
44 руб. × = 44 руб.
от 50 шт. — 38 руб.
от 500 шт. — 37 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF3710ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF3710 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF3710Z Datasheet
pdf, 272 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3710ZPBF
MOSFET N-ch HEXFET 100V 59A Data Sheet IRF3710ZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов