Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]

Ном. номер: 308755760
Артикул: IRF3710ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]
Фото 2/2 IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]
62 руб.
2794 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 54 руб.
от 150 шт. — 52 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
45.40 руб. 3-4 недели, 9018 шт. 1 шт. 1851 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRF3710ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRF3710 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF3710Z Datasheet
pdf, 272 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3710ZPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.