Мой регион: Россия

IRF3717TRPBF, MOSFET N-Ch 20V 20A HEXF

PartNumber: IRF3717TRPBF
Ном. номер: 8000002193
Производитель: Infineon Technologies
IRF3717TRPBF, MOSFET N-Ch 20V 20A HEXF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
15980 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 76 руб.
от 500 шт. — 56 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 3-4 недели, 34 шт. 1 шт. 3 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
57s
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5
Типичное время задержки включения
12 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
15 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.45V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.55V
Максимальное сопротивление сток-исток
5,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
22 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2890 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.