IRF3808S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
800 руб.
от 2 шт. —
690 руб.
от 5 шт. —
613 руб.
от 10 шт. —
573.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Номенклатурный номер: 8002024937
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 106A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:106A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 120 ns |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 106 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | SP001559612 |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 220 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7 mOhms |
| Rise Time | 140 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 2.26 |
Техническая документация
Документация
pdf, 264 КБ
Datasheet IRF3808SPBF
pdf, 309 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
