IRF40H210, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 40 В, 201 А, 0.0014 Ом, PQFN, Surface Mount

Фото 2/2 IRF40H210, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 40 В, 201 А, 0.0014 Ом, PQFN, Surface Mount
Фото 1/2 IRF40H210, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 40 В, 201 А, 0.0014 Ом, PQFN, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3553 шт., срок 5-6 недель
340 руб.
от 10 шт.277 руб.
от 100 шт.210 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8463153524
Артикул: IRF40H210
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор TRENCH_МОП-транзисторS

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора PQFN
Рассеиваемая Мощность 125Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 201А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0014Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 3.7В
Линейка Продукции HEXFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 201 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 70 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 34 ns
Высота 0.83 mm
Длина 6 mm
Другие названия товара № SP001571340
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение StrongIRFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 113 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 4000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 65 ns
Типичное время задержки при включении 9.2 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок PQFN-8
Ширина 5 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 100A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 125W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 1.7mО© @ 100A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 3.7V @ 150uA
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet IRF40H210
pdf, 553 КБ
Datasheet IRF40H210
pdf, 565 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах