Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF4104SPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В ...

IRF4104SPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 120А [D2-PАK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 руб.

от 15 шт. — 223 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Номенклатурный номер: 9000095550

Артикул: IRF4104SPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0055 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес, г	2.5