IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]

Фото 2/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 3/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 4/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 5/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 6/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 7/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 8/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]Фото 9/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]
Фото 1/9 IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]
4096 шт. со склада г.Москва
95 руб.
от 15 шт.88 руб.
от 150 шт.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 95 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 5409
Артикул: IRF4905PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 ом при-38a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 21
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF4905 datasheet
pdf, 108 КБ
IRF4905PBF Datasheet
pdf, 181 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF4905PBF
Datasheet IRF4905PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах