IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]

Артикул: IRF5210PBF
Ном. номер: 29185
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
75 руб. × = 75 руб.
от 50 шт. — 62 руб.
от 500 шт. — 60 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF5210PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes advance processing techniques to achieve extremely low 0n-resistance per silicon area.

• Advanced Process Technology
• New Ultra Low On-Resistance
• Fast Switching
• Dynamic dv/dt Rating
• Fully Avalanche Rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF5210 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF5210PBF Datasheet
pdf, 189 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5210PBF
Datasheet IRF5210PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов