IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]

Фото 2/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 3/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 4/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 5/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 6/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 7/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]Фото 8/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
Фото 1/8 IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
2342 шт. со склада г.Москва
110 руб.
от 15 шт.98 руб.
от 150 шт.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 29185
Артикул: IRF5210PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при-38a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF5210 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF5210PBF Datasheet
pdf, 189 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5210PBF
Datasheet IRF5210PBF
Datasheet IRF5210PBF
Datasheet IRF5210PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах