IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Фото 2/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]Фото 3/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]Фото 4/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
Фото 1/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
85 руб.
от 15 шт.79 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 85 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 226106513
Артикул: IRF5210SPBF
Производитель: International Rectifier

Описание

MOSFET, P D2-PAK TUBE 50 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -100V Current, Id Cont 40A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 140A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF5210S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при-38a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 2.045

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Цена и наличие в магазинах