IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
![Фото 2/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515091.jpg)
![Фото 3/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515094.jpg)
![Фото 4/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515097.jpg)
![Фото 1/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
85 руб.
от 15 шт. —
79 руб.
от 150 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 85 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
MOSFET, P D2-PAK TUBE 50 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -100V Current, Id Cont 40A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 140A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF5210S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм
Технические параметры
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -40 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 ом при-38a, -10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | 10 |
Корпус | d2pak |
Пороговое напряжение на затворе | -4 |
Вес, г | 2.045 |
Техническая документация
Datasheet IRF5210S, IRF5210L
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов