Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › IR › IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Фото 4/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Фото 1/4 IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу

85 руб.

от 15 шт. — 79 руб.

от 150 шт. — по запросу

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 85 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Посмотреть альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 226106513

Артикул: IRF5210SPBF

Производитель: International Rectifier

Описание

MOSFET, P D2-PAK TUBE 50 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -100V Current, Id Cont 40A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 140A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF5210S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 ом при-38a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	d2pak
Пороговое напряжение на затворе	-4
Вес, г	2.045