IRF540NS
348 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
290 руб.
от 2 шт. —
240 руб.
от 10 шт. —
193 руб.
от 100 шт. —
178.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Номенклатурный номер: 8002024970
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 100V, 33A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:130W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 130W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Datasheet IRF540NLPBF
pdf, 288 КБ
irf540nspbf
pdf, 279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
