IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
![Фото 1/2 IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 руб.
от 50 шт. —
56 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 66 руб.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/2.7А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 | |
| Корпус | TSOP-6/TSOT-23-6 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.25 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IRF5852PBF
pdf, 200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
