IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]

Фото 2/2 IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]
Фото 1/2 IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]
5 шт. со склада г.Екатеринбург
42 руб.
от 10 шт.38 руб.
от 100 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 42 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000030101
Артикул: IRF6216PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.24 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 2.7
Корпус soic-8
Особенности интеллектуальный ключ с защитой
Пороговое напряжение на затворе -3…-5
Вес, г 0.15

Техническая документация

IRF6216PBF Datasheet
pdf, 124 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах