IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.2A I(D), 150V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.24 Ом/1.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Особенности | интеллектуальный ключ с защитой | |
Пороговое напряжение на затворе | -3…-5 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF6216PBF Datasheet
pdf, 124 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают