IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]

Артикул: IRF630NSPBF
Ном. номер: 9110050609
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]
Фото 2/5 IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]Фото 3/5 IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]Фото 4/5 IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]Фото 5/5 IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
50 руб. × = 50 руб.
от 5 шт. — 38 руб.
от 600 шт. — 25.85 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах


The IRF630NSPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

IRF630NPBF Datasheet
pdf, 335 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF630NSPBF