IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]

Ном. номер: 9000618339
Артикул: IRF630NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Фото 2/3 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]Фото 3/3 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
51 руб.
37 руб.
797 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 33 руб.
от 150 шт. — 32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 37 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
82 W
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
11.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Height
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.5

Техническая документация

irf630npbf
pdf, 337 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF630NSTRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов