IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
![Фото 1/6 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 50 шт. —
198 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
МОП-транзистор MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/5.4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 82 | |
| Крутизна характеристики, S | 4.9 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF630NSTRLPBF
pdf, 336 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ
Datasheet irf630npbf
pdf, 337 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
