Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]

Артикул: IRF640NPBF
Ном. номер: 303384502
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Ожидается поступление на склад г.Москва: 9 марта 2017 г. — 1 900 шт.
Возможна срочная доставка завтра
28 × = 28
от 50 шт. — 25 руб.
от 500 шт. — 24 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF640NPBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 200V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 150mohm
• Power dissipation Pd of 150W at 25°C
• Continuous drain current Id of 18A at Vgs 10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF640N Datasheet
pdf, 243 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NPBF
Datasheet IRF640NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов