IRF640NLPBF, N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK

Фото 2/2 IRF640NLPBF, N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK
Фото 1/2 IRF640NLPBF, N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
895 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
200 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.160 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 000 руб.
Номенклатурный номер: 8569595050
Артикул: IRF640NLPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 A
Тип корпуса I2PAK (TO-262)
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.83мм
Высота 11.3мм
Размеры 10.67 x 4.83 x 11.3мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 23 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 67 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1160 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Package Type I2PAK (TO-262)
Maximum Power Dissipation 150 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 4.83мм
Height 11.3мм
Transistor Material Кремний
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Серия HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 150 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 67 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Base Product Number IRF640 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NLPBF
Datasheet IRF640NLPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах