Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF6644TRPBF, MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm ...

IRF6644TRPBF, MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

860 руб.

от 10 шт. — 650 руб.

от 100 шт. — 479 руб.

от 250 шт. — 460.27 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Номенклатурный номер: 8004655935

Артикул: IRF6644TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	10.3 A
Pd - рассеивание мощности	89 W
Qg - заряд затвора	35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	26 ns
Время спада	16 ns
Высота	0.7 mm
Длина	6.35 mm
Другие названия товара №	SP001563476
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DirectFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	15 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4800
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	34 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	DirectFET-MN
Ширина	5.05 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10.3 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	SO-8
Вес, г	86