IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A 89Вт 0.00122Ом [DIRECTFET-MX.]

Фото 1/5 IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A 89Вт 0.00122Ом [DIRECTFET-MX.]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001613278
Артикул
IRF6727MTRPBF
Brand:
Infineon Technologies
Channel Mode:
Enhancement
Configuration:
Single
Id - Continuous Drain Current:
180 A
Manufacturer:
Infineon
Все параметры
Все документы
3865 шт. со склада г.Москва
180 руб.
от 15 шт.165 руб.
от 150 шт.160 руб.
1 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
MOSFET, N-CH, 30V, 180A, DIRECTFET MX, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.00122ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4800
Id - Continuous Drain Current: 180 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DirectFET-MX
Part # Aliases: IRF6727MTRPBF SP001530240
Pd - Power Dissipation: 89 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 49 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.84 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
Вес, г 1.3

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.