IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]

Артикул: IRF7103PBF
Ном. номер: 64188
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Фото 2/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]Фото 3/3 IRF7103PBF, Транзистор, 2N-канала 50В 3А 0.13Ом [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
19 руб. × = 19 руб.
от 25 шт. — 15 руб.
от 250 шт. — 14 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Dual N-Channel Power MOSFET, International Rectifier
International Rectifier's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…3

Техническая документация

deIRF7103_Data_E
pdf, 273 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7103PBF
Datasheet IRF7103PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов