IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
![Фото 1/5 IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 руб.
от 50 шт. —
71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.
Технические параметры
| Структура | N/P-каналы | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5/2.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.1/4.3 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
