IRF7201PBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]

Артикул: IRF7201PBF
Ном. номер: 60378
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7201PBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Фото 2/2 IRF7201PBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
20 руб. × = 20 руб.
от 25 шт. — 16 руб.
от 250 шт. — 15 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7201PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.

• Generation V technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1

Техническая документация

irf7201pbf
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7201PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов