Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал ...

IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

83 руб.

от 25 шт. — 76 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 83 руб.

Номенклатурный номер: 9000618319

Артикул: IRF7204TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7204TRPBF от производителя INFINEON – это компонент, обеспечивающий высокую производительность для широкого спектра электронных устройств. Этот N-MOSFET транзистор, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD), идеально подходит для интеграции в компактные схемы. С током стока 5,3 А и напряжением сток-исток 20 В, он обладает достаточной мощностью для управления многими электрическими нагрузками. Мощность транзистора составляет 2,5 Вт, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Корпус SO8 обеспечивает удобство монтажа и экономию места на печатной плате. Для заказа используйте код IRF7204TRPBF, который упрощается до IRF7204TRPBF при поиске в нашем каталоге, гарантируя быстрое и точное нахождение нужной детали. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	5.3
Напряжение сток-исток, В	20
Мощность, Вт	2.5
Корпус	SO8

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	7.9
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15