IRF7205
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
295 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
71.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8002025096
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test V
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 71 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6.6 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -4.6 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 27 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms |
| Rise Time | 21 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 97 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -3 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7205 datasheet
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
