Мой регион: Россия

IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]

Ном. номер: 9000539510
Артикул: IRF7304TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Фото 2/4 IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]Фото 3/4 IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]Фото 4/4 IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
31 руб.
3861 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 27 руб.
от 250 шт. — 26 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
24 руб. 19116 шт. 1 шт. 159 шт.
от 281 шт. — 21.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The IRF7304TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Вес, г
0.15

Техническая документация

Datasheet IRF7304
pdf, 231 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7304TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.